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779-790nm 锥形放大管
]资料
产品名称:
779-790nm 锥形放大管
产品型号:
MK
产品厂商:
原子光学解决方案
产品文档:
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简单介绍
779-790nm 锥形放大管:GaAs锥形放大器被用于放大已有的种子激光，种子激光器的输出功率在10-30mW范围内就可被放大到2W的激光输出。锥形放大管的正面和背面都镀有减反膜，反射率小于0.01%。封装形式有C-mount、DHP-I、DHP-F。
779-790nm 锥形放大管 的详细介绍
特点：
1. 工作范围：779-790nm
2. 输出功率：2000mW
3. M2<1.7
4. 边模抑制比：>40dB
5. AR coating:<0.01%
应用：
1. 激光冷却与原子捕获
2. Rb原子高分辨率吸收谱
GaAs锥形放大器被用于放大已有的种子激光，种子激光器的输出功率在10-30mW范围内就可被放大到2W的激光输出。锥形放大管的正面和背面都镀有减反膜，反射率小于0.01%。封装形式有C-mount、DHP-I、DHP-F。
技术参数：
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Parameter
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TA-0785-2000
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波长范围
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779-790nm
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ASE抑制比
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>40dB
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种子激光功率（Typ）
种子激光功率（Max）
种子激光功率（Min）
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15mW
30mW
10mW
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水平发散角（95%）
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10-12度
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竖直发散角（95%）
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50度
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M2
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<1.7
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典型工作电流（1500mW）
典型工作电流（2000mW）
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2.8A
3.3A
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*大工作电流（有注入光）
*大工作电流（无注入光）
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<3.5A
2.0A
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工作电压
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<1.8
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偏振
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TM
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工作温度
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15-30度
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建议热沉温度
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20度
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储存温度
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-20-60度
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热沉种类
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C-Mount/DHP-I/DHP-F
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