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应用方案
应用方案
 半导体激光器倍频解决方案

DBR激光二极管+PPLN晶体)



   在某些特殊的科研领域,会对激光器的波长、功率等方面有一些特殊的要求,比如在冷原子物理研究中需要用到397nm426nm390nm等波长,在微型激光投影仪、激光显示方面需要用到小型的绿光和蓝光光源。

针对以上等领域对激光器的特殊要求,我公司可以提供单频窄线宽的DBR激光二极管和高效的PPLN倍频晶体。激光二极管的典型波长有767nm770nm780nm795nm852nm895nm920nm976nm1064nm1083nm,经过PPLN倍频晶体后可产生385nm390nm397nm426nm等波长,应用于原子冷却相关领域;倍频产生460nm488nm532nm波长应用于微型投影仪和激光显示等领域。

由于DBR激光二极管输出的激光光束质量非常好(单频,超窄线宽<1MHz),因此从光源方面来看,激光的倍频效率会有显著提高。另外,PPLN晶体采用周期极化工艺,通过准相位匹配技术使晶体的倍频特性有显著改善,光转换效率可达50%。另外,PPLN晶体非线性系数高、抗损伤阈值大、性能稳定、体积小、无走离,这些特性使PPLN晶体在倍频方面比传统的BBOKTP晶体有明显优势。

 

PPLN晶体参数表(美国):

晶体厚度

0.5mm, 1mm and 2mm

晶体宽度

5mm and 10mm(可按照用户要求生产)

晶体长度

10, 20, 40 & 50mm(可按照用户要求生产)

单周期晶体

16.9, 19.0, 21.5, 28.2, 29.0, 29.3, 29.6, 29.8, 29.95, 30.0, 31.6um

(可按照用户要求提供周期)

多周期晶体

可提供多种周期搭配形式

晶体镀膜

镀有高质量的减反膜

晶体端面

按照目标参数要求进行抛光

损伤阈值

300MW/cm2@1064, 10ns pulse

 

DBR激光二极管参数表(美国):

输出波长

767nm, 770nm, 780nm, 795nm, 852nm, 895nm, 920nm, 976nm,1064nm

输出功率

80mW, 120mW, 150mW, 200mW, 250mW, 300mW, 500mW(与波长有关)

激光线宽

<1MHz, 8MHz(与波长有关)

边模抑制比

>40dB

电流调谐系数

0.0025nm/mA (1GHz/mA)

温度调谐系数

0.07nm/ (25GHz/mA)





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